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英飛凌可控硅電源模塊FD200R12KS4 IGBT驅動模塊全新原裝

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英飛凌可控硅電源模塊FD200R12KS4 IGBT驅動模塊全新原裝

有效期: 2021-12-16

數量(個) 價格(元/個)
350 345.00元/個
  • 供貨總量: 電議
  • 最小起訂: 1個
  • 發貨地址: 江蘇 蘇州市
  • 物流運費: 1
  • 發布日期:2020-12-16
  • 訪問量:87
咨詢電話:199-5115-8678
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2
  • 聯系人:薛女士
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  • 營業執照:已審核 營業執照
  • 經營模式: 經銷商-私營有限責任公司
  • 所在地區:江蘇 蘇州市
  • 家家通積分:10463分
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詳細參數
型號FD200R12KS4極間電容詳詢
開啟電壓1200夾斷電壓1200
最大漏極電流200低頻噪聲系數標準
最大散熱功率詳詢產品認證3C認證
產地德國品牌英飛凌
用途寬頻帶放大封裝外形螺絲型
材料MES金屬半導體相數三相
控制方式脈沖寬度調制(PWM)主電路形式全橋式
頻率高頻加工定制
導電溝道N溝道導電方式增強型

產品詳情

蘇州銀邦主營:
西門康賽米控(Semikron)公司; IGBT模塊、 智能功率模塊(SKiiP)、 晶閘管/二極管模塊,整流橋、晶閘管/二極管分立器件、驅動電路、驅動板
英飛凌(infineon)功率模塊公司: IGBT模塊、 IGBT單管, 晶閘管/二極管、整流橋、驅動IC及驅動板、富士(FUJI) 功率模塊
公司: IGBT模塊、IGBT單管、場效應管、IPM、 驅動電路
三菱. (mitsubishi)功率模塊公司: IGBT模塊、PIM模塊、IPM模塊、驅動電路
瑞士CONCEPT公司、IGBT驅動器
德國(IXYS) 艾賽斯功率模塊公司:可控硅模塊、 快恢復二極管、整流橋模塊、晶閘管模塊
三社(SanRex)可控硅模塊 二極管 快恢復二極管
巴斯曼(BUSSMANN)熔斷器 西門子 羅蘭熔斷器

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又稱絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,因此,可以把其看作是MOS輸入的達林頓管。它融合了MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點,具備易于驅動、峰值電流容量大、自關斷、開關頻率高 (10-40 kHz) 等特點,已逐步取代晶閘管GTO(門極可關斷晶閘管),是目前發展最為迅速的新一代電力電子器件。廣泛應用于小體積、高效率的變頻電源、電機調速、 UPS 及逆變焊機當中。
  1. IGBT的工作原理
  IGBT由柵極(G)、發射極(E)和集電極(C)三個極控制。如圖1,IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP晶體管提供基極電流,使IGBT導通。反之,加反向門極電壓消除溝道,切斷基極電流,使IGBT關斷。由圖2可知,若在IGBT的柵極和發射極之間加上驅動正電壓,則MOSFET導通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態而使得晶體管導通;若IGBT的柵極和發射極之間電壓為0V,則MOSFET截止,切斷PNP晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。

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